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    金属氧化物半导体场效应管(英语:Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET),简称金氧半场效晶体管是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。金属氧化物半导体场效应管依照其“沟道”的极性不同,可分为电子占多数的N沟道型与空穴占多数的P沟道型,通常又称为N型金氧半场效晶体管(NMOSFET)与P型金氧半场效晶体管(PMOSFET)。

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